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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOJ |
| 包装说明： | SOJ, SOJ40,.44 | 针数： | 40 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.B |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 20 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J40 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 26.04 mm | 内存密度： | 524288 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 40 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装等效代码： | SOJ40,.44 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.76 mm | 最大待机电流： | 0.001 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.19 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM616513J-25 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX16, 25ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40 |
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| KM6165AJ-35 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX1, 35ns, CMOS, PDSO24 |
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| KM6165AJ-45 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX1, 45ns, CMOS, PDSO24 |
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| KM6165ALJ-25 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX1, 25ns, CMOS, PDSO24 |
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| KM6165ALJ-35 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX1, 35ns, CMOS, PDSO24 |
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| KM6165ALJ-45 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX1, 45ns, CMOS, PDSO24 |
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| KM6165ALP-25 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX1, 25ns, CMOS, PDIP22, |
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| KM6165ALP-35 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX1, 35ns, CMOS, PDIP22, |
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| KM6165ALP-45 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX1, 45ns, CMOS, PDIP22, |
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| KM6165AP-25 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX1, 25ns, CMOS, PDIP22, |
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