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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIP, |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.B |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 20 ns | JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 组织： | 1MX1 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM611001-25 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, PDIP28 |
|
| KM611001-35 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX1, 35ns, CMOS, PDIP28 |
|
| KM611001J-20 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX1, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
|
| KM611001J-25 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
|
| KM611001J-35 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX1, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
|
| KM611001L | SAMSUNG |
获取价格 |
1M x 1Bit High-Speed CMOS SRAM |
|
| KM611001LJ-20 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX1, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
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| KM611001LJ-25 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
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| KM611001LP-20 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX1, 20ns, CMOS, PDIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
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| KM611001LP-25 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, PDIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
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