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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 25 ns |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-PDSO-J24 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 1 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX1 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装等效代码： | SOJ24,.34 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.00005 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.1 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM61257LJ-35 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, PDSO24 |
|
| KM61257LJ-45 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 45ns, CMOS, PDSO24 |
|
| KM61257LP-25 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, PDIP24 |
|
| KM61257P-25 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, PDIP24 |
|
| KM6161000BLR-5L | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44 |
|
| KM6161000BLR-5L0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44 |
|
| KM6161000BLRI-5L | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44 |
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| KM6161000BLRI-7L | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44 |
|
| KM6161000BLT-5L | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 |
|
| KM6161000BLT-7L | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 |
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