5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP24,.3 |
| 针数： | 24 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 45 ns |
| 其他特性： | BATTERY BACKUP | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T24 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 31.625 mm | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 256KX1 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | NO | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP24,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 最大待机电流： | 0.00005 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.1 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM61257AP-25 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24 |
|
| KM61257AP-35 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24 |
|
| KM61257AP-45 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 45ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24 |
|
| KM61257J-25 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, PDSO24 |
|
| KM61257J-35 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, PDSO24 |
|
| KM61257LJ-25 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, PDSO24 |
|
| KM61257LJ-35 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, PDSO24 |
|
| KM61257LJ-45 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 45ns, CMOS, PDSO24 |
|
| KM61257LP-25 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, PDIP24 |
|
| KM61257P-25 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, PDIP24 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
