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KM44V1000DJ-6

更新时间： 2024-01-01 10:39:46

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	372K
描述
Fast Page DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOJ-26/20

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KM44V1000DJ-6 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	SOJ, SOJ20/26,.34
针数：	20	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J20
JESD-609代码：	e0	长度：	17.15 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	20
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ20/26,.34
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
座面最大高度：	3.76 mm	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.0005 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.06 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

KM44V1000DJ-6 数据手册

KM44C1000D, KM44V1000D

CMOS DRAM

1M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode

DESCRIPTION

This is a family of 1,048,576 x 4bit Fast Page Mode CMOS DRAMs. Fast Page Mode offers high speed random access of memory cells

within the same row. Power supply voltage (+5V or +3.3V), access time (-5, -6 or -7), power consumption(Normal or Low power), and

package type (SOJ or TSOP-II) are optional features of this family. All of this family have CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh and

Hidden refresh capabilities. Furthermore, self-refresh operation is available in 3.3V Low power version.

This 1Mx4 Fast Page Mode DRAM family is fabricated using Samsung¢s advanced CMOS process to realize high band-width, low power

consumption and high reliability. It may be used as main memory for main frames and mini computers, personal computer and high per-

formance microprocessor systems.

•

Fast Page Mode operation

FEATURES

CAS-before-RAS refresh capability

• Part Identification

• RAS-only and Hidden refresh capability

• Self-refresh capability (3.3V, L-ver only)

• Fast parallel test mode capability

- KM44C1000D/D-L(5V, 1K Ref.)

- KM44V1000D/D-L(3.3V, 1K Ref.)

• TTL(5V)/LVTTL(3.3V) compatible inputs and outputs

•

Early write or output enable controlled write

• JEDEC Standard pinout

• Active Power Dissipation

Unit : mW

•

Available in 26(20)-pin SOJ 300mil and TSOP(II)

300mil packages

Speed

-5

3.3V

•

Single +5V±10% power supply(5V product)

Single +3.3V±0.3V power supply(3.3V product)

470

-6

220

200

415

-7

360

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

• Refresh Cycles

RAS

CAS

Vcc

Vss

Part

NO.

Refresh

cycle

Refresh Period

Control

Clocks

VBB Generator

Normal

L-ver

KM44C1000D

KM44V1000D

16ms

128ms

Row Decoder

Refresh Timer

Refresh Control

Data in

Buffer

Memory Array

1,048,576 x4

Cells

DQ0

DQ3

• Performance Range

Refresh Counter

Row Address Buffer

Col. Address Buffer

Speed

-5

Remark

tRAC

tCAC

tRC

tPC

50ns 15ns 90ns 35ns 5V only

60ns 15ns 110n 40ns 5V/3.3V

70ns 20ns 130n 45ns 5V/3.3V

Data out

Buffer

A0~A9

-6

Column Decoder

-7

SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to

change products and specifications without notice.

12 3 4 5 6 7...21

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM44V1000DJ-L6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOJ-26/20
KM44V1000DJ-L7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOJ-26/20
KM44V1000DT-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20
KM44V1000DT-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20
KM44V1000DT-L7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20
KM44V1004CJ-6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24
KM44V1004CJ-7	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24
KM44V1004CJ-L7	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24
KM44V1004CP-L7	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDIP20, 0.300 INCH, DIP-20
KM44V1004CT-6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20

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