Datasheet > KM44V16004AS-L6

KM44V16004AS-L6

更新时间： 2024-01-20 23:24:12

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
1页	49K
描述
EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, TSOP2-32

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

KM44V16004AS-L6 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP32,.46
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.88	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
长度：	20.95 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	32	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP32,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.0003 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM44V16004BJ-5	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
KM44V16004BJ-L45	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 16MX4, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
KM44V16004BK-45	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 16MX4, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
KM44V16004BK-5KM	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32
KM44V16004BK-5TD	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32
KM44V16004BK-6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
KM44V16004BK-6KM	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32
KM44V16004BK-6T	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32
KM44V16004BS-5H	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32
KM44V16004BS-5K	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32