5秒后页面跳转
KM44C268CTR-8 PDF预览

KM44C268CTR-8

更新时间: 2024-09-17 14:51:51
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 62K
描述
Static Column DRAM, 256KX4, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, REVERSE, TSOP2-26/20

KM44C268CTR-8 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:TSOP2-R,针数:20
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:STATIC COLUMN最长访问时间:80 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G20长度:17.14 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STATIC COLUMN DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:20
字数:262144 words字数代码:256000
组织:256KX4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2-R封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

KM44C268CTR-8 数据手册

  

与KM44C268CTR-8相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KM44C268CV-7 SAMSUNG

获取价格

Static Column DRAM, 256KX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 6 X 16 MM, TSOP1-24/20
KM44C268CVR-8 SAMSUNG

获取价格

Static Column DRAM, 256KX4, 80ns, CMOS, PDSO20, 6 X 16 MM, REVERSE, TSOP1-24/20
KM44C4000AK-6 SAMSUNG

获取价格

Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
KM44C4000ALLS-8 SAMSUNG

获取价格

Fast Page DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-24
KM44C4000ALLSR-7 SAMSUNG

获取价格

Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-24
KM44C4000ALS-8 SAMSUNG

获取价格

Fast Page DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
KM44C4000ALSR-6 SAMSUNG

获取价格

Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24
KM44C4000AS-6 SAMSUNG

获取价格

Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
KM44C4000AS-7 SAMSUNG

获取价格

Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
KM44C4000ASLJ-8 SAMSUNG

获取价格

Fast Page DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28/24