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KM432S2030CT-7

更新时间： 2024-11-18 19:51:19

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
43页	2148K
描述
Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86,

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KM432S2030CT-7 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSSOP, TSSOP86,.46,20	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.92	最长访问时间：	5.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	143 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G86
JESD-609代码：	e0	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	32
端子数量：	86	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP86,.46,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	2048	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.18 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM432S2030CT-7/F7	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, TSOP2-86
KM432S2030CT-8/F8	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PDSO86, 0.400 X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, TSOP2-86
KM432S2030CT-F10	SAMSUNG	获取价格	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
KM432S2030CT-F6	SAMSUNG	获取价格	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
KM432S2030CT-F7	SAMSUNG	获取价格	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
KM432S2030CT-F8	SAMSUNG	获取价格	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
KM432S2030CT-FC	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 2MX32, 5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, TSOP2-86
KM432S2030CT-G10	SAMSUNG	获取价格	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
KM432S2030CT-G6	SAMSUNG	获取价格	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
KM432S2030CT-G7	SAMSUNG	获取价格	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL