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KM432V504T-L8

更新时间: 2024-11-21 20:02:07
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 251K
描述
EDO DRAM, 512KX32, 80ns, CMOS, PDSO70, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-70

KM432V504T-L8 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSSOP70,.46
针数:70Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.92访问模式:FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间:80 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G70
JESD-609代码:e0长度:23.49 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:32功能数量:1
端口数量:1端子数量:70
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:512KX32
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSSOP70,.46
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES最大待机电流:0.0005 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.07 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

KM432V504T-L8 数据手册

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