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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | TSOP2, | 针数： | 86 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.82 |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 6 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G86 | 长度： | 22.22 mm |
| 内存密度： | 67108864 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 32 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 86 |
| 字数： | 2097152 words | 字数代码： | 2000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 2MX32 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM432S2030CT-F10 | SAMSUNG |
获取价格 |
2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| KM432S2030CT-F6 | SAMSUNG |
获取价格 |
2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| KM432S2030CT-F7 | SAMSUNG |
获取价格 |
2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| KM432S2030CT-F8 | SAMSUNG |
获取价格 |
2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| KM432S2030CT-FC | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 2MX32, 5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, TSOP2-86 |
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| KM432S2030CT-G10 | SAMSUNG |
获取价格 |
2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| KM432S2030CT-G6 | SAMSUNG |
获取价格 |
2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| KM432S2030CT-G7 | SAMSUNG |
获取价格 |
2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| KM432S2030CT-G8 | SAMSUNG |
获取价格 |
2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| KM432S2030CT-GC | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 2MX32, 5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, TSOP2-86 |
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