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KM41V16000ASLTR-6

更新时间: 2024-11-15 15:36:23
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 272K
描述
Fast Page DRAM, 16MX1, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28/24

KM41V16000ASLTR-6 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2-R, TSOP24/28,.46
针数:28/24Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.92访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:60 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDSO-G24
JESD-609代码:e0长度:18.41 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2-R封装等效代码:TSOP24/28,.46
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096反向引出线:YES
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:NO
最大待机电流:0.0002 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.08 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

KM41V16000ASLTR-6 数据手册

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