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KM41C4000CZ-6

更新时间： 2024-11-14 14:51:51

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	254K
描述
Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PZIP20, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20

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KM41C4000CZ-6 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	ZIP	包装说明：	ZIP, ZIP20,.1
针数：	20	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.89	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	SEPARATE	JESD-30 代码：	R-PZIP-T20
JESD-609代码：	e0	长度：	26.165 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	1	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	20
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX1
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	ZIP	封装等效代码：	ZIP20,.1
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	座面最大高度：	10.16 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.075 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	ZIG-ZAG
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM41C4000D	SAMSUNG	获取价格	4M x 1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
KM41C4000DJ-5	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX1, 50ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
KM41C4000DJ-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
KM41C4000DJ-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
KM41C4000DJ-L5	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX1, 50ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
KM41C4000DJ-L6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
KM41C4000DJ-L7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
KM41C4000DT-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20
KM41C4000DT-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20
KM41C4000DT-L6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20