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KM41C4002AZ-10

更新时间： 2024-11-15 15:45:35

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	529K
描述
Static Column DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PZIP20, PLASTIC, ZIP-20

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KM41C4002AZ-10 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	ZIP
包装说明：	ZIP, ZIP20,.1	针数：	20
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	访问模式：	STATIC COLUMN
最长访问时间：	100 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	SEPARATE	JESD-30 代码：	R-PZIP-T20
JESD-609代码：	e0	长度：	26.165 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STATIC COLUMN DRAM
内存宽度：	1	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	20
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX1
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	ZIP	封装等效代码：	ZIP20,.1
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
座面最大高度：	10.16 mm	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.085 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	2.96 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...17

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM41C4002BV-7	SAMSUNG	获取价格	Static Column DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, TSOP1-24/20
KM41C4002CZ-8	SAMSUNG	获取价格	Static Column DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PZIP20, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20
KM41C464J-10	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 64KX4, 100ns, CMOS, PQCC18, PLASTIC, LCC-18
KM41C464J-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 64KX4, 80ns, CMOS, PQCC18, PLASTIC, LCC-18
KM41C464P-10	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 64KX4, 100ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
KM41C464P-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 64KX4, 70ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
KM41C464P-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 64KX4, 80ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
KM41C464Z-10	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 64KX4, 100ns, CMOS, PZIP20, PLASTIC, ZIP-20
KM41C464Z-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 64KX4, 70ns, CMOS, PZIP20, PLASTIC, ZIP-20
KM41C464Z-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 64KX4, 80ns, CMOS, PZIP20, PLASTIC, ZIP-20