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KM41C4001BVR-8

更新时间: 2024-11-15 20:02:59
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 58K
描述
Nibble Mode DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-24/20

KM41C4001BVR-8 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:TSOP1-R, TSSOP20/24,.63,20针数:20
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.92
访问模式:NIBBLE最长访问时间:80 ns
其他特性:RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESHI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-PDSO-G20JESD-609代码:e0
长度:14.4 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:NIBBLE MODE DRAM内存宽度:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:20字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1-R
封装等效代码:TSSOP20/24,.63,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024反向引出线:YES
座面最大高度:1.2 mm最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.07 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:6 mm
Base Number Matches:1

KM41C4001BVR-8 数据手册

  

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