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KM28C64JI-25

更新时间： 2024-11-26 14:51:51

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三星 - SAMSUNG		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	272K
描述
EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

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KM28C64JI-25 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	250 ns	其他特性：	AUTOMATIC WRITE; 100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
数据保留时间-最小值：	10	耐久性：	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	长度：	13.97 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装等效代码：	LDCC32,.5X.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	页面大小：	32 words
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.55 mm	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	切换位：	YES
宽度：	11.43 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM28C65A	SAMSUNG	获取价格	8K x 8 BIT CMOS ELECTRICALLY ERASABLE PROM
KM28C65A-12	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28
KM28C65A-15	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 8KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28
KM28C65AI-12	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 8KX8, Parallel, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, DIP-28
KM28C65AI-20	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28
KM28C65AI-25	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28
KM28C65AJ-12	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
KM28C65AJ-15	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 8KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
KM28C65AJ-20	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
KM28C65AJI-12	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 8KX8, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32