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KM28C65AI-20

更新时间: 2024-11-26 19:12:43
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三星 - SAMSUNG 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 47K
描述
EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28

KM28C65AI-20 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP28,.6针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.89
最长访问时间:200 ns命令用户界面:NO
数据轮询:YESJESD-30 代码:R-PDIP-T28
JESD-609代码:e0内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:8KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
页面大小:64 words并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
编程电压:5 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES座面最大高度:5.59 mm
最大待机电流:0.0001 A子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.04 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:YES宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

KM28C65AI-20 数据手册

  

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