是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP28,.6 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.91 |
最长访问时间: | 90 ns | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | YES | JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 8KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
页面大小: | 64 words | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 座面最大高度: | 5.59 mm |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | YES | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KM28C65BJI-09 | SAMSUNG |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
KM28I01 | SAMSUNG |
获取价格 |
EEPROM, 128X8, Serial, CMOS | |
KM28I01G | SAMSUNG |
获取价格 |
EEPROM, 128KX8, Parallel, CMOS, PDSO8, 0.225 INCH, SOP-8 | |
KM28I04 | SAMSUNG |
获取价格 |
EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 | |
KM28N800G-B12 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 1MX8, 120ns, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44 | |
KM28N800G-B7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 1MX8, 70ns, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44 | |
KM28N800G-B9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 1MX8, 90ns, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44 | |
KM28N800G-T12 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 1MX8, 120ns, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44 | |
KM28N800G-T7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 1MX8, 70ns, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44 | |
KM28N800T-B12 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 1MX8, 120ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48 |