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KM28C65BJI-09

更新时间: 2024-11-26 19:12:43
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三星 - SAMSUNG 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 47K
描述
EEPROM, 8KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

KM28C65BJI-09 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:QFJ
包装说明:QCCJ, LDCC32,.5X.6针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.91
最长访问时间:90 ns命令用户界面:NO
数据轮询:YESJESD-30 代码:R-PQCC-J32
JESD-609代码:e0长度:13.97 mm
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:8KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:QCCJ
封装等效代码:LDCC32,.5X.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER页面大小:64 words
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
座面最大高度:3.55 mm最大待机电流:0.0001 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.04 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED切换位:YES
宽度:11.43 mmBase Number Matches:1

KM28C65BJI-09 数据手册

  

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