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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | 13 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63 |
| 针数： | 63 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.84 | 最长访问时间： | 76 ns |
| 其他特性： | SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE | 命令用户界面： | YES |
| 数据轮询： | NO | JESD-30 代码： | R-PBGA-B63 |
| 长度： | 13 mm | 内存密度： | 1073741824 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 1K | 端子数量： | 63 |
| 字数： | 67108864 words | 字数代码： | 64000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -30 °C | 组织： | 64MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | VFBGA |
| 封装等效代码： | BGA63,10X12,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | 页面大小： | 1K words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 1.8 V | 编程电压： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 座面最大高度： | 1 mm | 部门规模： | 64K |
| 最大待机电流： | 0.00005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 切换位： | YES |
| 类型： | NAND TYPE | 宽度： | 10 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KFM1G16Q2M | SAMSUNG |
获取价格 |
MuxOneNAND FLASH MEMORY |
|
| KFM1G16Q2M-DEB5 | SAMSUNG |
获取价格 |
MuxOneNAND FLASH MEMORY |
|
| KFM1G16Q2M-DEB50 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 64MX16, 76ns, PBGA63, 10 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63 |
|
| KFM1G16Q2M-DEB5T | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| KFM1G16Q2M-DEB6 | SAMSUNG |
获取价格 |
MuxOneNAND FLASH MEMORY |
|
| KFM1G16Q2M-DEB6000 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 64MX16, 76ns, PBGA63 |
|
| KFM1G16Q2M-DED5 | SAMSUNG |
获取价格 |
MuxOneNAND FLASH MEMORY |
|
| KFM1G16Q2M-DED6 | SAMSUNG |
获取价格 |
MuxOneNAND FLASH MEMORY |
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| KFM20100C-D2 | PACELEADER |
获取价格 |
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
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| KFM20150C-D2 | PACELEADER |
获取价格 |
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
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