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KF2N60F

更新时间： 2024-11-21 11:29:35
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 417K
描述
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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KF2N60F 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.67
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：60 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：4.4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：28.4 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：4 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

KF2N60F 数据手册

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KF2N60P/F  
SEMICONDUCTOR  
N CHANNEL MOS FIELD  
EFFECT TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
General Description  
KF2N60P  
A
O
C
This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast  
switching time,low on resistance, low gate charge and excellent  
avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and  
switching mode power supplies.  
F
E
I
DIM MILLIMETERS  
G
Q
_
9.9 + 0.2  
A
B
C
D
E
F
B
15.95 MAX  
1.3+0.1/-0.05  
_
0.8+ 0.1  
FEATURES  
_
3.6 0.2  
+
_
2.8+ 0.1  
· VDSS= 600V, ID= 2A  
K
P
3.7  
G
H
I
· Drain-Source ON Resistance : RDS(ON)=4.4Ω (Max) @VGS = 10V  
· Qg(typ) = 6.0nC  
M
N
0.5+0.1/-0.05  
1.5  
L
J
_
13.08+ 0.3  
J
K
L
M
N
O
P
D
1.46  
_
1.4 + 0.1  
H
N
_
1.27+ 0.1  
_
2.54+ 0.2  
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)  
_
+
4.5 0.2  
_
+
2.4 0.2  
RATING  
_
9.2 + 0.2  
Q
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
UNIT  
1
2
3
1. GATE  
2. DRAIN  
3. SOURCE  
KF2N60P  
KF2N60F  
VDSS  
VGSS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
@TC=25℃  
600  
V
V
±30  
TO-220AB  
2
1.3  
4
2*  
1.3*  
4*  
ID  
Drain Current  
@TC=100℃  
A
KF2N60F  
IDP  
Pulsed (Note1)  
C
A
Single Pulsed Avalanche Energy  
(Note 2)  
EAS  
60  
2.3  
4.5  
mJ  
mJ  
Repetitive Avalanche Energy  
(Note 1)  
EAR  
DIM MILLIMETERS  
E
_
10.16 0.2  
+
A
B
C
D
E
Peak Diode Recovery dv/dt  
(Note 3)  
_
15.87 0.2  
+
dv/dt  
V/ns  
_
2.54 0.2  
+
_
0.8 0.1  
+
50  
28.4  
0.23  
W
W/℃  
℃
Tc=25℃  
Drain Power  
Dissipation  
_
+
3.18  
0.1  
PD  
_
3.3 0.1  
+
F
0.4  
Derate above 25℃  
_
G
H
J
12.57 0.2  
+
L
M
_
Tj  
0.5 0.1  
Maximum Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
150  
R
+
_
13.0 0.5  
+
Tstg  
_
-55∼ 150  
℃
K
L
3.23 0.1  
+
D
1.47 MAX  
1.47 MAX  
Thermal Characteristics  
M
N
O
Q
R
N
N
H
_
2.54 0.2  
+
RthJC  
RthJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
2.5  
4.4  
62.5  
℃/W  
℃/W  
_
6.68 0.2  
+
_
4.7  
+
_
0.2  
Thermal Resistance, Junction-to-  
Ambient  
62.5  
2.76 0.2  
+
1. GATE  
1
2
3
2. DRAIN  
3. SOURCE  
* : Drain current limited by maximum junction temperature.  
* Single Gauge Lead Frame  
PIN CONNECTION  
(KF2N60P, KF2N60F)  
D
TO-220IS (1)  
G
S
2011. 4. 29  
Revision No : 0  
1/2  
1234567

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与KF2N60F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KF2N60I KEC

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 		N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
KF2N60L KEC

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 		This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on
KF2N60P KEC

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 		N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
KF2N60P/F KEC

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KF2N60P_15 KEC

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