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KF2N60I

更新时间： 2024-02-24 23:18:51
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 406K
描述
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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KF2N60I 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220AB, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.68
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：60 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A最大漏极电流 (ID)：2 A
最大漏源导通电阻：4.4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：50 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：4 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

KF2N60I 数据手册

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KF2N60D/I  
SEMICONDUCTOR  
N CHANNEL MOS FIELD  
EFFECT TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
General Description  
KF2N60D  
This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast  
switching time, low on resistance, low gate charge and excellent  
avalanche characteristics. It is mainly suitable for switching mode  
power supplies.  
A
C
K
DIM MILLIMETERS  
L
D
B
_
6.60 + 0.20  
A
B
C
D
E
_
6.10+0.20  
_
5.34 + 0.30  
_
0.70+0.20  
_
2.70 + 0.15  
FEATURES  
_
2.30+0.10  
F
0.96 MAX  
0.90 MAX  
G
H
J
· VDSS= 600V, ID= 1.9A  
· RDS(ON)=4.4Ω (Max) @VGS = 10V  
· Qg(typ) = 6.0nC  
H
J
_
1.80+0.20  
E
_
2.30+0.10  
K
L
G
N
_
0.50 + 0.10  
_
0.50+0.10  
F
F
M
M
N
0.70 MIN  
MAXIMUM RATING (Tc=25℃)  
1
2
3
1. GATE  
2. DRAIN  
3. SOURCE  
CHARACTERISTIC  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
@TC=25℃  
SYMBOL  
VDSS  
RATING  
600  
UNIT  
V
VGSS  
V
±30  
1.9  
ID  
DPAK (1)  
Drain Current  
@TC=100℃  
1.2  
A
IDP  
Pulsed (Note1)  
4.0  
Single Pulsed Avalanche Energy  
(Note 2)  
KF2N60I  
EAS  
60  
2.3  
4.5  
mJ  
mJ  
A
C
H
Repetitive Avalanche Energy  
(Note 1)  
EAR  
J
Peak Diode Recovery dv/dt  
(Note 3)  
dv/dt  
V/ns  
DIM MILLIMETERS  
_
40.3  
0.32  
W
W/℃  
℃
Tc=25℃  
A
B
C
D
E
F
6.6 0.2  
+
Drain Power  
Dissipation  
PD  
_
6.1 0.2  
+
M
Derate above 25℃  
_
5.34 0.3  
+
P
_
0.7 0.2  
+
N
Tj  
Maximum Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
150  
_
9.3 0.3  
+
_
2.3 0.2  
+
Tstg  
-55∼ 150  
℃
_
0.76 0.1  
G
H
J
+
G
_
2.3 0.1  
+
Thermal Characteristics  
_
L
0.5 0.1  
+
F
F
RthJC  
RthJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
3.1  
_
℃/W  
℃/W  
K
L
M
N
P
1.8 0.2  
+
_
+
0.5  
0.1  
Thermal Resistance, Junction-to-  
Ambient  
_
1.0 0.1  
+
110  
0.96 MAX  
_
1
2
3
1.02 0.3  
+
1. GATE  
2. DRAIN  
3. SOURCE  
PIN CONNECTION  
(KF2N60D/I)  
IPAK(1)  
D
G
S
2011. 3. 23  
Revision No : 0  
1/6  
123456

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与KF2N60I相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KF2N60L KEC

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 		This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on
KF2N60P KEC

获取价格

 		N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
KF2N60P/F KEC

获取价格

 		N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
KF2N60P_15 KEC

获取价格

 		N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
KF2N60PF KEC

获取价格

 		N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
KF30 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		VERY LOW DROP VOLTAGE REGULATORS WITH INHIBIT
KF3002-GD31A ROHM

获取价格

 		Compact high speed thick film thermal printhead (12 dots / mm)
KF3002-GL50A ROHM

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 		Thick Film Thermal Printhead (300DPI)
KF3002-GM50A ROHM

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 		Thick film thermal printhead (with thermal historical control)
KF3003-GD31A ROHM

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 		Compact high speed thick film thermal printhead (12 dots / mm)

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