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KDZ9.3V

更新时间： 2024-09-15 12:50:11

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KEC		二极管测试光电二极管局域网
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描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

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KDZ9.3V 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	USC, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	9.3 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
最大电压容差：	2%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

KDZ9.3V 数据手册

KDZ9.3V

SEMICONDUCTOR

ZENER DIODE

TECHNICAL DATA

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

CONSTANT VOLTAGE REGULATION APPLICATION.

FEATURES

· Small Package

· Normal Voltage Tolerance about ±2%.

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

DIM

MILLIMETERS

2.50+0.1

SYMBOL

P_D*

RATING

200*

UNIT

1.25 0.05

0.90 0.05

Power Dissipation

0.30+0.06/-0.04

1.70 0.05

T_j

Junction Temperature

150

MIN 0.17

0.126 0.03

T_stg

Storage Temperature Range

1. ANODE

2. CATHODE

0~0.1

-55 150

1.0 MAX

0.15 0.05

* Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 20

pad dimension of 4

0.4+0.05

+4/-2

4~6

USC

Marking

Type Name

9 3

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

Zener Voltage

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

9.5

UNIT

V_Z

Z_Z

I_Z=5mA

9.1

Ω

Dynamic Impedance

Knee Dynamic Impedance

Reverse Current

Z_ZK

I_R

I_Z=0.5mA

V_R=7V

120

0.5

Ω

μA

2008. 3. 26

Revision No : 0

1/1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KDZ91EV	KEC	获取价格	ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(CONSTANT VOLTAGE REGULATION, REFERENCE VOLTAGE)
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KDZ93V	KEC	获取价格	ZENER DIODE CONSTANT VOLTAGE REGULATION APPLICATION
KDZLV100	ROHM	获取价格	Zener Diode
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