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KDZ8.2EV

更新时间: 2024-11-22 22:30:07
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KEC 二极管齐纳二极管测试光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 99K
描述
ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(CONSTANT VOLTAGE REGULATION, REFERENCE VOLTAGE)

KDZ8.2EV 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-F2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.7
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:20 ΩJESD-30 代码:R-PDSO-F2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.15 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:8.2 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES技术:ZENER
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:6.1%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

KDZ8.2EV 数据手册

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KDZ2.0EV~24EV  
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE  
SEMICONDUCTOR  
ZENER DIODE  
TECHNICAL DATA  
CONSTANT VOLTAGE REGULATION APPLICATION.  
REFERENCE VOLTAGE APPLICATION.  
C
E
FEATURES  
1
2
Small Package : ESC  
Nominal Voltage Tolerance About 6%.  
D
F
MAXIMUM RATING (Ta=25)  
CHARACTERISTIC  
Power Dissipation  
SYMBOL  
PD *  
RATING  
150  
UNIT  
mW  
DIM MILLIMETERS  
_
A
B
C
D
E
F
1.60+0.10  
_
1.20+0.10  
_
0.80+0.10  
Tj  
_
Junction Temperature  
150  
0.30+0.05  
_
+
0.60 0.10  
_
1. ANODE  
2. CATHODE  
Tstg  
Storage Temperature Range  
+
0.13 0.05  
-55150  
ESC  
Example 1) 2.0V ~ 2.7V  
Example 2) 3.0V ~ 9.1V  
Example 3) 10V ~ 24V  
2
30  
10  
KDZ2.0EV  
KDZ2.2EV  
KDZ2.4EV  
KDZ2.7EV  
2A  
2B  
2C  
2D  
Example : KDZ3.0EV  
Example : KDZ10EV  
2001. 2. 5  
Revision No : 1  
1/3  

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