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KDZ8.2VV

更新时间： 2024-11-23 11:29:31

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KEC		二极管测试光电二极管局域网
页数	文件大小	规格书
4页	72K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

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KDZ8.2VV 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.1 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	8.2 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
最大电压容差：	6.1%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

KDZ8.2VV 数据手册

KDZ2.0VV~36VV

SEMICONDUCTOR

ZENER DIODE

TECHNICAL DATA

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

CONSTANT VOLTAGE REGULATION APPLICATION.

REFERENCE VOLTAGE APPLICATION.

CATHODE MARK

FEATURES

Small Package : VSC

Sharp Breakdown Characteristic.

Normal Voltage Tolerance about 6%.

DIM MILLIMETERS

1.4 +0.05

1.0 + 0.05

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

0.6 + 0.05

0.28 + 0.03

SYMBOL

P_D*

RATING

UNIT

0.5 + 0.05

0.12 + 0.03

Power Dissipation

100

150

T_j

Junction Temperature

T_stg

Storage Temperature Range

-55 150

* Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 20

pad dimension of 4

VSC

Marking

Type No.

**KDZ2.0VV

**KDZ2.2VV

**KDZ2.4VV

**KDZ2.7VV

**KDZ3.0VV

**KDZ3.3VV

**KDZ3.6VV

**KDZ3.9VV

KDZ4.3VV

KDZ4.7VV

KDZ5.1VV

KDZ5.6VV

KDZ6.2VV

KDZ6.8VV

KDZ7.5VV

KDZ8.2VV

KDZ9.1VV

KDZ10VV

KDZ11VV

KDZ12VV

KDZ13VV

KDZ15VV

KDZ16VV

KDZ18VV

KDZ20VV

KDZ22VV

KDZ24VV

KDZ27VV

KDZ30VV

KDZ33VV

KDZ36VV

**Under development

2007. 9. 10

Revision No : 1

1/4

12 3 4

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