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KDZ8.2V

更新时间: 2024-09-14 22:30:07
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KEC 二极管齐纳二极管测试光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 100K
描述
ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

KDZ8.2V 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-G2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.7
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:20 ΩJESD-30 代码:R-PDSO-G2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.2 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:8.2 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES技术:ZENER
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:6.1%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

KDZ8.2V 数据手册

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KDZ2.0V~24V  
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE  
SEMICONDUCTOR  
ZENER DIODE  
TECHNICAL DATA  
CONSTANT VOLTAGE REGULATION APPLICATION.  
REFERENCE VOLTAGE APPLICATION.  
G
B
1
FEATURES  
Small Package : USC  
H
Nominal Voltage Tolerance About 6%.  
2
J
D
C
I
MAXIMUM RATING (Ta=25)  
DIM  
A
MILLIMETERS  
_
2.50+0.1  
CHARACTERISTIC  
Power Dissipation  
SYMBOL  
RATING  
150  
UNIT  
mW  
_
+
1.25 0.05  
B
C
D
E
_
+
0.90 0.05  
PD  
Tj  
0.30+0.06/-0.04  
M
M
_
+
1.70 0.05  
Junction Temperature  
150  
MIN 0.17  
F
G
H
I
_
+
0.126 0.03  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55150  
1. ANODE  
2. CATHODE  
0~0.1  
1.0 MAX  
_
+
0.15 0.05  
J
_
K
L
M
0.4+0.05  
2
+4/-2  
4~6  
USC  
Example 1) 2.0V ~ 2.7V  
Example 2) 3.0V ~ 9.1V  
Example 3) 10V ~ 24V  
2
30  
10  
KDZ2.0V  
KDZ2.2V  
KDZ2.4V  
KDZ2.7V  
2A  
2B  
2C  
2D  
Example : KDZ3.0V  
Example : KDZ10V  
2001. 6. 11  
Revision No : 6  
1/3  

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