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KDZ2.7V

更新时间： 2024-11-08 22:32:23

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KEC		二极管齐纳二极管测试光电二极管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	100K
描述
ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

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KDZ2.7V 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	110 Ω	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	2.7 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	7.41%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

KDZ2.7V 数据手册

KDZ2.0V~24V

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

SEMICONDUCTOR

ZENER DIODE

TECHNICAL DATA

CONSTANT VOLTAGE REGULATION APPLICATION.

REFERENCE VOLTAGE APPLICATION.

FEATURES

ᴌSmall Package : USC

ᴌNominal Voltage Tolerance About ᴦ6%.

MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)

DIM

MILLIMETERS

2.50+0.1

CHARACTERISTIC

Power Dissipation

SYMBOL

RATING

150

UNIT

ᴱ

1.25 0.05

0.90 0.05

P_D

T_j

0.30+0.06/-0.04

1.70 0.05

Junction Temperature

150

MIN 0.17

0.126 0.03

T_stg

Storage Temperature Range

-55ᴕ150

ᴱ

1. ANODE

2. CATHODE

0~0.1

1.0 MAX

0.15 0.05

0.4+0.05

+4/-2

4~6

USC

Example 1) 2.0V ~ 2.7V

Example 2) 3.0V ~ 9.1V

Example 3) 10V ~ 24V

KDZ2.0V

KDZ2.2V

KDZ2.4V

KDZ2.7V

Example : KDZ3.0V

Example : KDZ10V

2001. 6. 11

Revision No : 6

1/3

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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KDZ2.7VV	KEC	获取价格	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
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