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KDZ200V

更新时间： 2024-11-10 17:15:39

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USC

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KDZ200V 数据手册

KDZ200V

SEMICONDUCTOR

ZENER DIODE

TECHNICAL DATA

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

CONSTANT VOLTAGE REGULATION APPLICATION.

REFERENCE VOLTAGE APPLICATION.

FEATURES

Small Package : USC

IEC61000-4-2(ESD) : 12kV(Contact)

DIM

MILLIMETERS

2.50+0.2

1.25+0.05

0.90 0.05

0.30 0.06

1.70 0.05

0.27 0.10

0.126 0.03

0~0.1

MAXIMUM RATING (Ta=25

)

1. ANODE

2. CATHODE

1.0 MAX

0.15+0.05

CHARACTERISTIC

Power Dissipation

SYMBOL

RATING

200

UNIT

0.4

+4/-2

4~6

P_D*

T_j

Junction Temperature

150

USC

T_stg

Storage Temperature Range

-55 150

* Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 20

pad dimension of 4

MARKING

CATHODE MARK

Lot No.

Type No.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C=25

)

CHARACTERISTIC

Zener Voltage

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

210

UNIT

V_Z

Z_Z

I_R

I_Z=1mA

V_R=170V

190

Dynamic Impedance

Reverse Current

(Note1)

700

0.1

(Note1) : V_Zis measured at I_Zby given a very small A.C current signal

2010. 10. 12

Revision No : 0

1/2

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