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KDR728E

更新时间： 2024-11-17 22:32:23

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KEC		二极管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	389K
描述
SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE(LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING)

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KDR728E 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.03 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	30 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

KDR728E 数据手册

SEMICONDUCTOR

KDR728E

SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE

TECHNICAL DATA

LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING.

FEATURES

Low Forward Voltage : V_F(2)=0.42(Typ.)

Small Package : ESC.

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

SYMBOL

V_RM

V_R

RATING

UNIT

DIM MILLIMETERS

Maximum (Peak) Reverse Voltage

Reverse Voltage

1.60+0.10

1.20+0.10

0.80+0.10

0.30+0.05

I_FM

Maximum (Peak) Forward Current

Average Forward Current

Surge Current (10ms)

150

0.60 0.10

0.13 0.05

1. ANODE

I_O

2. CATHODE

I_FSM

P_D

200

Power Dissipation

150^*

125

T_j

Junction Temperature

ESC

T_stg

Storage Temperature Range

-55 125

* : Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 20mm,

pad dimension of 4 4mm.

Marking

Type Name

U T

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

V_F(1)

V_F(2)

I_R

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

0.3

0.42

MAX.

0.4

UNIT

I_F=1mA

Forward Voltage

I_F=30mA

0.55

300

V_R=30V

Reverse Current

C_T

V_R=1V, f=1MHz

Total Capacitance

6.5

2003. 7. 8

Revision No : 2

1/2

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