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KDR729 PDF预览

KDR729

更新时间： 2024-11-19 22:32:23
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KEC 二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 391K
描述
SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE(LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING)

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KDR729 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.75Is Samacsys：N
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

KDR729 数据手册

 浏览型号KDR729的Datasheet PDF文件第2页 
SEMICONDUCTOR  
KDR729  
SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE  
TECHNICAL DATA  
LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING.  
G
B
FEATURES  
1
Low Forward Voltage : VF(4)=0.43V(Typ.)  
IO=200mA rectification possible.  
Small Package : USC.  
H
2
J
D
C
I
MAXIMUM RATING (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
)
DIM  
A
MILLIMETERS  
_
2.50+0.1  
SYMBOL  
VRM  
VR  
RATING  
30  
UNIT  
V
_
+
1.25 0.05  
_
B
C
D
E
+
0.90 0.05  
Maximum (Peak) Reverse Voltage  
Reverse Voltage  
0.30+0.06/-0.04  
_
M
M
+
1.70 0.05  
30  
V
MIN 0.17  
_
F
G
H
I
+
0.126 0.03  
IFM  
Maximum (Peak) Forward Current  
Average Forward Current  
Surge Current (10ms)  
300  
mA  
mA  
A
1. ANODE  
0~0.1  
1.0 MAX  
_
2. CATHODE  
IO  
200  
+
J
0.15 0.05  
_
0.4+0.05  
K
L
IFSM  
PD  
1
2
+4/-2  
4~6  
M
Power Dissipation  
200*  
125  
mW  
Tj  
Junction Temperature  
USC  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55 125  
* : Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 20mm,  
pad dimension of 4 4mm.  
Marking  
Type Name  
U M  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25  
)
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
VF(1)  
VF(2)  
VF(3)  
VF(4)  
IR  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
0.22  
0.29  
0.38  
0.43  
-
MAX.  
UNIT  
V
IF=1mA  
-
-
-
-
-
-
-
IF=10mA  
-
-
Forward Voltage  
IF=100mA  
IF=200mA  
VR=30V  
0.55  
50  
-
Reverse Current  
A
CT  
VR=0V, f=1MHz  
Total Capacitance  
50  
pF  
2003. 2. 25  
Revision No : 4  
1/2  
12

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