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KDR582E

更新时间： 2024-11-18 11:29:23

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KEC		二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	347K
描述
SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE

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KDR582E 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	ESC, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.13 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	4 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

KDR582E 数据手册

SEMICONDUCTOR

KDR582E

SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE

TECHNICAL DATA

FOR HIGH SPEED SWITCHING.

FEATURES

Low reverse current, low capacitance.

Small package : ESC.

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

DIM MILLIMETERS

SYMBOL RATING

UNIT

1.60+0.10

1.20+0.10

V_R

I_F

Repetitive Peak Reverse Voltage

Reverse Voltage

0.80+0.10

0.30+0.05

0.60 0.10

1. ANODE

2. CATHODE

0.13 0.05

Forward Current

130

150

P_D*

T_j

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_stg

-55 150

ESC

* Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 20 , Pad Dimension of 4

Marking

Type Name

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN.

0.2

0.25

0.35

TYP.

MAX.

0.35

0.45

0.6

UNIT

I_F=0.1mA

V_F

I_F=1mA

I_F=10mA

V_R=3V

Forward Voltage

0.25

1.25

0.75

I_R

Reverse Current

V_R=3V, T_A=60

C_T

r_S

V_R=0V, f=1MHz

I_F=5mA, f=10kHz

Total Capacitance

Series Resistance

0.4

2006. 11. 23

Revision No : 0

1/2

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