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KDR582S

更新时间： 2024-11-18 12:19:47

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KEC		二极管
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描述
SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE

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KDR582S 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.73
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.13 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	4 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

KDR582S 数据手册

SEMICONDUCTOR

KDR582S

SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE

TECHNICAL DATA

FOR HIGH SPEED SWITCHING.

FEATURES

· Low reverse current, low capacitance.

DIM MILLIMETERS

2.93 0.20

1.30+0.20/-0.15

1.30 MAX

0.40+0.15/-0.05

2.40+0.30/-0.20

1.90

0.95

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

0.13+0.10/-0.05

0.00 ~ 0.10

0.55

CHARACTERISTIC

Repetitive Peak Reverse Voltage

Reverse Voltage

SYMBOL RATING

UNIT

0.20 MIN

1.00+0.20/-0.10

V_R

I_F

Forward Current

130

℃

T_j

Junction Temperature

150

T_stg

Storage Temperature Range

-55∼ 150

℃

SOT-23

Marking

Lot No.

Type Name

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN.

0.2

0.25

0.35

TYP.

MAX.

0.35

0.45

0.6

UNIT

I_F=0.1mA

V_F

I_F=1mA

Forward Voltage

I_F=10mA

V_R=3V

0.25

1.25

0.75

I_R

Reverse Current

μA

V_R=3V, T_A=60℃

V_R=0V, f=1MHz

I_F=5mA, f=10kHz

C_T

r_S

Total Capacitance

Series Resistance

0.4

Ω

2009. 12. 9

Revision No : 0

1/2

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