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KC847T

更新时间： 2024-10-30 05:40:47
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科信 - KEXIN 晶体晶体管
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1页 40K
描述
NPN General Purpose Transistors

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KC847T 数据手册

  
SMD Type  
Transistors  
NPN General Purpose Transistors  
KC847T(BC847T)  
SOT-523  
+0.1  
-0.1  
Unit: mm  
1.6  
1.0  
+0.1  
-0.1  
Features  
+0.05  
0.2  
-0.05  
+0.01  
0.1  
-0.01  
Low current (max. 100 mA)  
Low voltage (max. 45 V).  
2
1
3
+0.25  
0.3  
-0.05  
+0.1  
0.5  
-0.1  
1. Base  
2. Emitter  
3. Collecter  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current (DC)  
Peak collector current  
power dissipation  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
Unit  
V
50  
45  
V
5
V
100  
mA  
mA  
mW  
ICM  
200  
PD  
150  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
Tstg  
-65 to +150  
Electrical Characteristics Ta = 25  
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Testconditons  
IE = 0; VCB = 30 V  
Min  
Typ  
Max  
15  
Unit  
nA  
A
collector cut-off current  
5
IE = 0; VCB = 30 V; Tj = 150  
IC = 0; VEB = 5 V  
emitter cut-off current  
KC847AT  
IEBO  
100  
220  
nA  
110  
200  
420  
DC current gain  
hFE  
IC = 2 mA; VCE = 5 V  
KC847BT  
KC847CT  
450  
800  
200  
IC = 10 mA; IB = 0.5 mA  
mV  
collector-emitter saturation voltage  
base-emitter voltage  
VCEsat  
VBE  
IC = 100 mA; IB = 5 mA; *  
IC = 2 mA; VCE = 5 V  
IC = 10 mA; VCE = 5 V  
400  
700  
770  
1.5  
mV  
mV  
mV  
pF  
580  
collector capacitance  
emitter capacitance  
Cc  
Ce  
IE = ie = 0; VCB = 10 V; f = 1 MHz  
IC = ic = 0; VEB = 500 mV; f = 1 MHz  
11  
pF  
IC = 200 A; VCE = 5 V; RS = 2 k ;f = 1  
kHz; B = 200 Hz  
noise figure  
F
10  
dB  
transition frequency  
fT  
IC = 10 mA; VCE = 5 V; f = 100 MHz  
100  
MHz  
* Pulse test: tp  
300 ms;  
0.02.  
Marking  
NO.  
KC847AT  
1E  
KC847BT  
1F  
KC847CT  
1G  
Marking  
1
www.kexin.com.cn  
1

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