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KC846S(BC846S)

更新时间： 2024-10-31 18:09:59

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Dual NPN Transistor

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KC846S(BC846S) 数据手册

SMD Type

Transistors

NPN Silicon AF Transistors Array

KC846S^(BC846S)

SOT-363

Unit: mm

+0.1

1.3

-0.1

0.65

Features

For AF input stage and driver applications

High current gain.

+0.05

0.1

-0.02

+0.1

0.3

-0.1

+0.1

2.1

-0.1

Low collector-emitter saturation voltage.

1 E1

2 B1

3 C2

4 E2

5 B2

6 C1

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Peak collector current

power dissipation

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

Rating

Unit

100

ICM

200

250

Junction temperature

Storage temperature

150

Tstg

-65 to +150

www.kexin.com.cn

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