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KBU8M PDF预览

KBU8M

更新时间： 2024-11-12 22:18:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 整流二极管桥式整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 33K
描述
8.0 Ampere Silicon Bridge Rectifiers

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KBU8M 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PSFM-W4针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.05Is Samacsys：N
Base Number Matches：1

KBU8M 数据手册

 浏览型号KBU8M的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KBU8M的Datasheet PDF文件第3页 
Discr ete P OWER & Sign a l  
Tech n ologies  
KBU8A - KBU8M  
0.935(23.7)  
0.280(7.1)  
0.895(22.7)  
0.260(6.6)  
0.16(4.1)  
0.14(3.6)  
0.085(2.2)  
0.065(1.7)  
Features  
45°  
+
0.70(17.8)  
+
0.66(16.8)  
• High surge current capability.  
• Reliable construction technique.  
• Ideal for printed circuit board.  
0.0760(19.3)  
MAX  
0.455(11.3)  
0.405(10.3)  
~
–
~
+
0.165(4.2)  
0.150(3.8)  
1.0(2.54)  
MIN  
KBU  
0.260(6.8)  
0.180(4.5)  
0.220(5.6)  
0.180(4.6)  
0.052(1.3)  
0.048(1.2)  
8.0 Ampere Silicon Bridge Rectifiers  
Dimensions are in: inches (mm)  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
IO  
Average Rectified Current  
8.0  
A
@ T = 50 C  
°
A
Peak Forward Surge Current  
300  
6.9  
A
if(surge)  
PD  
Total Device Dissipation  
W
55  
Derate above 25 C  
mW/ C  
°
°
Thermal Resistance, Junction to Ambient,** per leg  
Thermal Resistance, Junction to Lead,** per leg  
Storage Temperature Range  
18  
Rθ  
C/W  
°
JA  
3.0  
Rθ  
C/W  
°
JL  
-55 to +150  
-55 to +150  
C
C
°
Tstg  
TJ  
Operating Junction Temperature  
°
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
**Device mounted on PCB with 0.375 " (9.5 mm) lead length and 0.5 x 0.5" (13 x 13 mm) copper pads.  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Device  
Units  
8A  
50  
35  
50  
8B  
100  
70  
8D  
8G  
400  
280  
400  
8J  
8K  
8M  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
200  
140  
200  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
100  
1000  
DC Reverse Voltage  
Maximum Reverse Leakage,  
total bridge @ rated VR T = 25 C  
(Rated VR)  
10  
500  
A
A
µ
µ
°
A
T = 100 C  
A
°
Maximum Forward Voltage Drop,  
per bridge  
@ 8.0 A  
1.0  
V
KBU8A-KBU8M, Rev.  
A
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
123

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KBU8M 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KBU8M-E4/51 VISHAY

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 Diode Rectifier Bridge Single 1KV 8A 4-Pin Case KBU Bulk
GBU8M-E3/51 VISHAY

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 Diode Rectifier Bridge Single 1KV 8A 4-Pin Case GBU
GBU810 DIODES

功能相似

 8.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

与KBU8M相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KBU8M-BP MCC

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 1000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBU,
KBU8ME4 VISHAY

获取价格

 		DIODE 6 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE KBU, 4 PIN, B
KBU8M-E4 VISHAY

获取价格

 		Single-Phase Bridge Rectifier
KBU8M-E4/51 VISHAY

获取价格

 		Diode Rectifier Bridge Single 1KV 8A 4-Pin Case KBU Bulk
KBU8MP MCC

获取价格

 		DIODE 8 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, KBU, 4 PIN, Bridge Rectifier
KBU8MPT CHENMKO

获取价格

 		SILICON BRIDGE RECTIFIER
KBU-RS4A YANGJIE

获取价格

 		SINGLE PHASE 4.0/6.0/8.0AMPS. SILICON BRIDGE RECTIFIERS
KBVW006A0B LINEAGEPOWER

获取价格

 		36–75Vdc Input; 12.0Vdc Output; 6A Output C
KBVW006A0B41HZ LINEAGEPOWER

获取价格

 		36–75Vdc Input; 12.0Vdc Output; 6A Output C
KBVW006A0B41SRZ LINEAGEPOWER

获取价格

 		36–75Vdc Input; 12.0Vdc Output; 6A Output C

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