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KBU4M-BP

更新时间： 2024-02-13 23:16:40

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	118K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4A, 1000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBU, 4 PIN

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KBU4M-BP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	KBU, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.58	其他特性：	UL RECOGNIZED
最小击穿电压：	1000 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSIP-W4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	150 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最大输出电流：	4 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	1000 V	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

KBU4M-BP 数据手册

K B U 4A

THRU

M C C

ꢀꢂꢁ ꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponent

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

KBU4M

Features

•

Low Leakage and Low Forward Voltage

Silver Plated Copper Leads

Any Mounting Position

4Amp Single Phase

Bridge Rectifier

50 to 1000 Volts

•

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1

•

Lead Free Finish/RoHS Compliant (NOTE 1)("P" Suffix

designates RoHS Compliant. See ordering information)

KBU

Maximum Ratings

•

Operating Temperature: -55°C to +150°C

Storage Temperature: -55°C to +150°C

•

UL Recognized File # E165989

Microsemi

Catalog

Number

Device

Marking

Maximum

Recurrent

Peak Reverse

Voltage

50V

Maximum Maximum

RMS

Voltage

Blocking

Voltage

50V

KBU4A

KBU4B

KBU4D

KBU4G

KBU4J

KBU4K

KBU4M

KBU4A

KBU4B

KBU4D

KBU4G

KBU4J

KBU4K

KBU4M

35V

70V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

100V

140V

280V

420V

560V

700V

200V

400V

600V

800V

1000V

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Average Forward

Current

Peak Forward Surge

Current

I_F(AV)

4 A

T = 100°C

I_FSM

150A

8.3ms, half sine

Maximum Forward

Voltage Drop Per

Element

V_F

1.0V

I_FM= 2.0A;

T_J= 25°C (Note 2)

DIMENSIONS

INCHES

MIN

.895

.600

.740

DIM

MAX

.935

MIN

22.7

MAX

NOTE

23.7

17.8

19.8

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

.700

.780

.23L

16.8

18.8

3.8∅

NOM

HOLE

NOM

I_R

10µA

100mA

TA = 25°C

Tc = 100°C

5.7L

7.5

---

.15∅

---

.100

.048

.300

.052

---

25.4

1.2

1.3

.268

---

.180

.280

.140

.220

6.8

---

4.6

7.1

5.3

5.6

Notes: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex Notes 7

NOM

3PL

2. Pulse Test: Pulse Width 300usec, Duty Cycle 1%

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: 4

2008/01/30

12 3

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与KBU4M-BP相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
KBU4ME4	VISHAY	DIODE 4 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE KBU, 4 PIN, B	获取价格
KBU4M-E4	VISHAY	DIODE 4 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE KBU, 4 PIN, Bridge Recti	获取价格
KBU4M-E4/51	VISHAY	Single-Phase Bridge Rectifier	获取价格
KBU4MP	MCC	DIODE 4 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, KBU, 4 PIN, Bridge Rectifier Diode	获取价格
KBU6	DIOTEC	Silicon-Bridge Rectifiers	获取价格
KBU600	WTE	6.0A BRIDGE RECTIFIER	获取价格

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