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KBU600

更新时间： 2024-01-24 09:37:12
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 139K
描述
Silicon Bridge Rectifiers

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KBU600 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.72其他特性：UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY
最小击穿电压：50 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSFM-T4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：2最大非重复峰值正向电流：250 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：6 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：50 V表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

KBU600 数据手册

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Silicon Bridge Rectifiers  
CCOOMMCCHHIIPP  
www.comchiptech.com  
KBU600 Thru 610  
Reverse Voltage: 50 - 1000 Volts  
Forward Current: 6.0 Amp  
KBU  
Features  
Diffused Junction  
KBU  
Dim  
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
Min  
22.7  
3.80  
4.20  
1.70  
10.30  
4.50  
4.60  
25.40  
-
Max  
23.70  
4.10  
4.70  
2.20  
11.30  
6.80  
5.60  
-
19.30  
17.80  
7.10  
5.20  
1.30  
Low Forward Voltage Drop  
High Current Capability  
High Reliability  
High Surge Current Capability  
Ideal for Printed Circuit Boards  
Mechanical Data  
Case: Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Weight: 1.7 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
16.80  
6.60  
4.70  
1.20  
All Dimensions in mm  
Marking: Type Number  
Maximum Ratings and Electrical Characterics  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
KBU  
600  
KBU  
601  
KBU  
602  
KBU  
604  
KBU  
606  
KBU  
608  
KBU  
610  
CHARACTERISTICS  
Symbol  
UNIT  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
400  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
280  
6.0  
V
A
Average Rectified Output Current @ TA = 100°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
Single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
250  
A
Forward Voltage (per element) @IF = 3.0A  
VFM  
IR  
1.0  
10  
1.0  
V
Peak Reverse Current  
@TC = 25°C  
uA  
mA  
A2s  
At Rated DC Blocking Voltage @TC = 100°C  
Rating for Fusing (t < 8.3ms) (Note1)  
Typical Thermal Resistance (Note2)  
I2t  
166  
4.2  
R
K/W  
JC  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
Operating and Storage Temperature Range  
°C  
Note: 1. Non-repetitive for t > 1ms and < 8.3ms.  
2. Thermal resistance junction to ambient mounted on PC board with 13.0 x 13.0 x 0.03mm thick land areas.  
MDS0306003A  
Page 1  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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