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KBE00D002M-F4070

更新时间： 2024-11-25 20:05:07

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
73页	1865K
描述
Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA137, 10.50 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-137

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KBE00D002M-F4070 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LFBGA,	针数：	137
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.84	其他特性：	SDRAM IS ORGANIZED AS 2M X 16 X 4 BANKS
JESD-30 代码：	R-PBGA-B137	长度：	13 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	137	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	16MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	10.5 mm	Base Number Matches：	1

KBE00D002M-F4070 数据手册

Advance

MCP MEMORY

Preliminary

KBE00D002M-F407

Document Title

Multi-Chip Package MEMORY

256M Bit (16Mx16) Nand Flash*2 / 128M Bit (2Mx16x4Banks) Mobile SDRAM*2

Revision No. History

Draft Date

Remark

0.0

Initial issue.

June , 25, 2003

Preliminary

- 512M NAND DDP C-Die_ ver 1.0

- 256M MSDRAM DDP E-Die_ver 0.4

0.1

August, 22 , 2003 Preliminary

- Changed errata for odering information : page 4

406 --> 407

<NAND Flash> .... ver 2.6

- Added the new definition of the number of invalid blocks : page 10

(Minimum 1004 valid blocks are guaranteed for each contiguous 128Mb

memory space.)

- Changed value of tR & tREA : page 11

tR : 12us --> 10us

tREA : 30ns --> 35ns

<M-SDR> .... ver 0.5

- Changing DC Current of ICC3P/3PS : page 32

10mA/2mA --> 8mA/8mA

- Added the word of "Internal: : page 38

Note : For more detailed features and specifications including FAQ, please refer to Samsung’s web site.

http://samsungelectronics.com/semiconductors/products/products_index.html

The attached datasheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right

to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions about device. If you have

any questions, please contact the SAMSUNG branch office near you.

Revision 0.1

August 2003

- 1 -

12 3 4 5 6 7...73

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KBE00G003M-D411	SAMSUNG	获取价格	NAND 512Mb2 + Mobile SDRAM 256Mb2
KBE00S003M	SAMSUNG	获取价格	1Gb NAND2 + 256Mb Mobile SDRAM2
KBE00S003M-D411	SAMSUNG	获取价格	1Gb NAND2 + 256Mb Mobile SDRAM2
KBE00S009M	SAMSUNG	获取价格	1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBE00S009M-D411	SAMSUNG	获取价格	1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBE00S009M-D4110	SAMSUNG	获取价格	Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA137, 12 X 14 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-137

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