Datasheet > K9F6408Q0C-BIB0

K9F6408Q0C-BIB0

更新时间： 2024-09-30 15:36:15

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
29页	492K
描述
Flash, 8MX8, 35ns, PBGA48, 6 X 8.50 MM, TBGA-48

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K9F6408Q0C-BIB0 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	6 X 8.50 MM, TBGA-48	针数：	48
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.83
最长访问时间：	35 ns	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
长度：	8.5 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	1K
端子数量：	48	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小：	512 words	并行/串行：	PARALLEL
电源：	1.8 V	编程电压：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1 mm	部门规模：	8K
最大待机电流：	0.00005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.015 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
切换位：	NO	类型：	NAND TYPE
宽度：	6 mm	Base Number Matches：	1

K9F6408Q0C-BIB0 数据手册

K9F6408U0C-TCB0,K9F6408U0C-TIB0

K9F6408U0C-BCB0,K9F6408U0C-BIB0

K9F6408U0C-VCB0,K9F6408U0C-VIB0

K9F6408Q0C-BCB0,K9F6408Q0C-BIB0

FLASH MEMORY

Document Title

8M x 8 Bit NAND Flash Memory

Revision History

Revision No. History

Draft Date

Remark

0.0

0.1

Initial issue.

Jul. 24 . 2001

Advance

1. IOL(R/B) of 1.8V device is changed.

-min. Value: 7mA -->3mA

Nov. 5 . 2001

Preliminary

-typ. Value: 8mA -->4mA

2. Package part number is modified.

K9F6408U0C-Y ---> K9F6408U0C_T

3. AC parameter is changed.

tRP(min.) : 30ns --> 25ns

0.2

1. TBGA package is changed.

Nov. 12 . 2001

- 9mmX11mm 63ball TBGA ---> 6mmX8.5mm 48ball TBGA

2. Part number(TBGA package part number) is changed

- K9F6408Q0C-D ----> K9F6408Q0C-B

- K9F6408U0C-D -----> K9F6408U0C-B

3. K9F6408U0C-BCB0,BIB0 products are added

0.3

1. WSOP1 package is added.

Mar. 13 . 2002

- Part number : K9F6408U0C_VCB0,VIBO

Note : For more detailed features and specifications including FAQ, please refer to Samsung’s Flash web site.

http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html

The attached datasheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions about device. If you have any questions, please contact the

SAMSUNG branch office near you.

12 3 4 5 6 7...29

中文翻译

下载PDF

与K9F6408Q0C-BIB0相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K9F6408Q0C-BIB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PBGA48, 6 X 8.50 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48
K9F6408Q0C-H	SAMSUNG	获取价格	8M x 8 Bit Bit NAND Flash Memory
K9F6408U0A-TCB0	SAMSUNG	获取价格	8M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F6408U0A-TIB0	SAMSUNG	获取价格	8M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F6408U0B	SAMSUNG	获取价格	8M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F6408U0B-TCB0	SAMSUNG	获取价格	8M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F6408U0B-TCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PDSO40, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-40/44
K9F6408U0B-TIB0	SAMSUNG	获取价格	8M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F6408U0B-TIB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PDSO40, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-40/44
K9F6408U0C	SAMSUNG	获取价格	8M x 8 Bit NAND Flash Memory

与K9F6408Q0C-BIB0相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

28
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

23
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

25
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

35

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K9F6408Q0C-BIB0

K9F6408Q0C-BIB0 技术参数

K9F6408Q0C-BIB0 数据手册

与K9F6408Q0C-BIB0相关器件

与K9F6408Q0C-BIB0相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K9F6408Q0C-BIB0

K9F6408Q0C-BIB0 技术参数

K9F6408Q0C-BIB0 数据手册

与K9F6408Q0C-BIB0相关器件

与K9F6408Q0C-BIB0相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？