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K9F6408U0C-FCB0

更新时间： 2024-09-30 13:25:59

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
30页	785K
描述
Flash, 8MX8, 35ns, PDSO48

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K9F6408U0C-FCB0 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	TSSOP, TSSOP48,.71,20
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.68
最长访问时间：	35 ns	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
部门数/规模：	1K	端子数量：	48
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP48,.71,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小：	512 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
部门规模：	8K	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.02 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	类型：	NAND TYPE
Base Number Matches：	1

K9F6408U0C-FCB0 数据手册

FLASH MEMORY

K9F6408U0C

Document Title

8M x 8 Bit NAND Flash Memory

Revision History

Revision No. History

Draft Date

Remark

0.0

0.1

Initial issue.

Jul. 24 . 2001

Advance

1. IOL(R/B) of 1.8V device is changed.

-min. Value: 7mA -->3mA

Nov. 5 . 2001

Preliminary

-typ. Value: 8mA -->4mA

2. Package part number is modified.

K9F6408U0C-Y ---> K9F6408U0C_T

3. AC parameter is changed.

tRP(min.) : 30ns --> 25ns

Nov. 12 . 2001

0.2

1. TBGA package is changed.

- 9mmX11mm 63ball TBGA ---> 6mmX8.5mm 48ball TBGA

2. Part number(TBGA package part number) is changed

- K9F6408Q0C-D ----> K9F6408Q0C-B

- K9F6408U0C-D -----> K9F6408U0C-B

3. K9F6408U0C-BCB0,BIB0 products are added

1. WSOP1 package is added.

0.3

0.4

Mar. 13 . 2002

Nov. 21. 2002

- Part number : K9F6408U0C_VCB0,VIBO

1. Add the Rp vs tr ,tf & Rp vs ibusy graph for 1.8V device (Page 28)

2. Add the data protection Vcc guidence for 1.8V device - below about

1.1V. (Page 29)

Mar. 05. 2003

Mar. 13 . 2003

The min. Vcc value 1.8V devices is changed.

K9F64XXQ0C : Vcc 1.65V~1.95V --> 1.70V~1.95V

0.5

0.6

Pb-free Package is added.

K9F6408U0C-QCB0,QIB0

K9F6408U0C-HCB0,HIB0

K9F6408Q0C-HCB0,HIB0

K9F6408U0C-FCB0,FIB0

0.7

Note is added.

Jul. 04. 2003

(VIL can undershoot to -0.4V and VIH can overshoot to VCC +0.4V for

durations of 20 ns or less.)

Apr. 24. 2004

May. 24. 2004

0.8

0.9

1. Add the Protrusion/Burr value in WSOP1 PKG Diagram.

1. PKG(WSOP1) Dimension Change

Note : For more detailed features and specifications including FAQ, please refer to Samsung’s Flash web site.

http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm

The attached datasheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions about device. If you have any questions, please contact the

SAMSUNG branch office near you.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K9F6408U0C-FCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, WSOP1-48
K9F6408U0C-FCB0T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PDSO48
K9F6408U0C-FIB0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PDSO48
K9F6408U0C-FIB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, WSOP1-48
K9F6408U0C-FIB0T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PDSO48
K9F6408U0C-H	SAMSUNG	获取价格	8M x 8 Bit Bit NAND Flash Memory
K9F6408U0C-HCB0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PBGA48
K9F6408U0C-HCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PBGA48, 6 X 8.50 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TBGA-48
K9F6408U0C-HIB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PBGA48, 6 X 8.50 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TBGA-48
K9F6408U0C-HIB0T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PBGA48

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