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K9F6408U0B-TIB00

更新时间： 2024-09-30 20:08:11

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
27页	504K
描述
Flash, 8MX8, 35ns, PDSO40, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-40/44

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K9F6408U0B-TIB00 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-40/44	针数：	40
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.83
最长访问时间：	35 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G40
长度：	18.41 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	40
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	2.7 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	类型：	NAND TYPE
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

K9F6408U0B-TIB00 数据手册

K9F6408U0B-TCB0, K9F6408U0B-TIB0

FLASH MEMORY

Document Title

8M x 8 Bit NAND Flash Memory

Revision History

Revision No. History

Draft Date

Remark

0.0

0.1

Initial issue.

July 17th 2000

Preliminary

1. Changed endurance : 1 million -> 100K program/erase cycles

1. Changed dont’ care mode in address cycles

Nov. 20th 2000

- *X can be "High" or "Low" => *L must be set to "Low"

2. Explain how pointer operation works in detail.

3. Renamed GND input (pin # 6) on behalf of SE (pin # 6)

- The SE input controls the access of the spare area. When SE is high,

the spare area is not accessible for reading or programming. SE is rec

ommended to be coupled to GND or Vcc and should not be toggled

during reading or programming.

=> Connect this input pin to GND or set to static low state unless the

sequential read mode excluding spare area is used.

4. Updated operation for tRST timing

- If reset command(FFh) is written at Ready state, the device goes into

Busy for maximum 5us.

0.2

1.Powerup sequence is added

: Recovery time of minimum 1ms is required before internal circuit gets

ready for any command sequences

Jul. 25th. 2001

~ 2.5V

VCC

High

2. AC parameter tCLR(CLE to RE Delay, min 50ns) is added.

3. AC parameter tAR1 value : 100ns --> 20ns

Note : For more detailed features and specifications including FAQ, please refer to Samsungs’ Flash web site.

http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html

The attached datasheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions about device. If you have any questions, please contact the

SAMSUNG branch office near you.

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K9F6408U0C-FCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, WSOP1-48
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