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K9F6408U0C-HCB0

更新时间： 2024-11-26 13:25:59

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
30页	785K
描述
Flash, 8MX8, 35ns, PBGA48

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K9F6408U0C-HCB0 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FBGA, BGA48,6X8,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.68
最长访问时间：	35 ns	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e3	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	部门数/规模：	1K
端子数量：	48	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	页面大小：	512 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	部门规模：	8K
最大待机电流：	0.00005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.02 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	类型：	NAND TYPE
Base Number Matches：	1

K9F6408U0C-HCB0 数据手册

FLASH MEMORY

K9F6408U0C

Document Title

8M x 8 Bit NAND Flash Memory

Revision History

Revision No. History

Draft Date

Remark

0.0

0.1

Initial issue.

Jul. 24 . 2001

Advance

1. IOL(R/B) of 1.8V device is changed.

-min. Value: 7mA -->3mA

Nov. 5 . 2001

Preliminary

-typ. Value: 8mA -->4mA

2. Package part number is modified.

K9F6408U0C-Y ---> K9F6408U0C_T

3. AC parameter is changed.

tRP(min.) : 30ns --> 25ns

Nov. 12 . 2001

0.2

1. TBGA package is changed.

- 9mmX11mm 63ball TBGA ---> 6mmX8.5mm 48ball TBGA

2. Part number(TBGA package part number) is changed

- K9F6408Q0C-D ----> K9F6408Q0C-B

- K9F6408U0C-D -----> K9F6408U0C-B

3. K9F6408U0C-BCB0,BIB0 products are added

1. WSOP1 package is added.

0.3

0.4

Mar. 13 . 2002

Nov. 21. 2002

- Part number : K9F6408U0C_VCB0,VIBO

1. Add the Rp vs tr ,tf & Rp vs ibusy graph for 1.8V device (Page 28)

2. Add the data protection Vcc guidence for 1.8V device - below about

1.1V. (Page 29)

Mar. 05. 2003

Mar. 13 . 2003

The min. Vcc value 1.8V devices is changed.

K9F64XXQ0C : Vcc 1.65V~1.95V --> 1.70V~1.95V

0.5

0.6

Pb-free Package is added.

K9F6408U0C-QCB0,QIB0

K9F6408U0C-HCB0,HIB0

K9F6408Q0C-HCB0,HIB0

K9F6408U0C-FCB0,FIB0

0.7

Note is added.

Jul. 04. 2003

(VIL can undershoot to -0.4V and VIH can overshoot to VCC +0.4V for

durations of 20 ns or less.)

Apr. 24. 2004

May. 24. 2004

0.8

0.9

1. Add the Protrusion/Burr value in WSOP1 PKG Diagram.

1. PKG(WSOP1) Dimension Change

Note : For more detailed features and specifications including FAQ, please refer to Samsung’s Flash web site.

http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm

The attached datasheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions about device. If you have any questions, please contact the

SAMSUNG branch office near you.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K9F6408U0C-HCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PBGA48, 6 X 8.50 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TBGA-48
K9F6408U0C-HIB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PBGA48, 6 X 8.50 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TBGA-48
K9F6408U0C-HIB0T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PBGA48
K9F6408U0C-Q	SAMSUNG	获取价格	8M x 8 Bit Bit NAND Flash Memory
K9F6408U0C-QCB0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PDSO40
K9F6408U0C-QCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PDSO40, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-44/40
K9F6408U0C-QCB0T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PDSO40
K9F6408U0C-QIB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PDSO40, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-44/40
K9F6408U0C-QIB0T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PDSO40
K9F6408U0C-T	SAMSUNG	获取价格	8M x 8 Bit NAND Flash Memory

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