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K9F6408U0A-TIB0 PDF预览

K9F6408U0A-TIB0

更新时间： 2024-01-30 13:05:50
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 闪存
页数 文件大小 规格书
26页 346K
描述
8M x 8 Bit NAND Flash Memory

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K9F6408U0A-TIB0 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP40/44,.46,32
针数：44Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.91最长访问时间：35 ns
其他特性：HARDWARE DATA PROTECTION; DATA RETENTION 10 YEARS命令用户界面：YES
数据轮询：NO数据保留时间-最小值：10
JESD-30 代码：R-PDSO-G40JESD-609代码：e0
长度：18.41 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1部门数/规模：1K
端子数量：40字数：8388608 words
字数代码：8000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：8MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP40/44,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小：512 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
编程电压：2.7 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.2 mm
部门规模：8K最大待机电流：0.00005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：NO
类型：NAND TYPE宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

K9F6408U0A-TIB0 数据手册

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K9F6408U0A-TCB0, K9F6408U0A-TIB0  
FLASH MEMORY  
Document Title  
8M x 8 Bit NAND Flash Memory  
Revision History  
Revision No. History  
Draft Date  
Remark  
0.0  
0.1  
Initial issue.  
April 10th 1999  
Preliminary  
1. Revised real-time map-out algorithm(refer to technical notes)  
July 23th 1999  
Sep. 15th 1999  
Preliminary  
Preliminary  
0.2  
Changed device name  
1) KM29U64000AT -> K9F6408U0A-TCB0  
2) KM29U64000AIT -> K9F6408U0A-TIB0  
Changed the following items  
ITEM  
Before(M-die)  
After(A-die)  
500us(Max.)  
Program Time  
1,000us(Max.)  
Number of partial program  
in the same page  
Main Array: 2 Cycles  
Spare Array: 3 Cycles  
10 Cycles  
0.3  
Changed the following items  
ITEM  
Oct. 20th 1999  
Preliminary  
Before(M-die)  
After(A-die)  
Pin Configuration(23th Pin)  
VccQ  
Vcc  
Absolute maximum Ratings  
- Voltage on any pin  
relative to Vss  
Vin : -0.6V to 6V  
Vcc : -0.6V to 4.6V  
VccQ : -0.6V to 6V  
Vin : -0.6V to 4.6V  
Vcc : -0.6V to 4.6V  
Recommended operating  
conditions  
VccQ : 2.7V(Min.)  
/ 5.5V(Max.)  
Do not support VccQ  
- Supply voltage  
I/O pins : 2.0V(Min.)  
VccQ+0.3V(Max.)  
DC and operating characteristics  
All inputs : 2.0V(Min.)  
/ Vcc+0.3V(Max.)  
- Input high voltage(VIH)  
Except I/O pins :  
2.0V(Min.) /  
Vcc+0.3V(Max.)  
Input and output timing levels  
0.8V and 2.0V  
1.5V  
Changed the following item  
Final  
0.4  
0.5  
Jan. 10th 2000  
July 17th 2000  
ITEM  
Before(M-die)  
After(A-die)  
Data transfer from Cell  
to Register (tR)  
7us(Max.)  
10us(Max.)  
1. Changed invalid block(s) marking method prior to shipping  
- The invalid block(s) information is written the 1st or 2nd page of the  
invalid block(s) with 00h data  
--->The invalid block(s) status is defined by the 6th byte in the spare  
area. Samsung makes sure that either the 1st or 2nd page of every  
invalid block has non-FFh data at the column address of 517.  
2. Changed SE pin description  
- SE is recommended to coupled to GND or Vcc and should not be  
toggled during reading or programming.  
Note : For more detailed features and specifications including FAQ, please refer to Samsung’s Flash web site.  
http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html  
The attached datasheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions about device. If you have any questions, please contact the  
SAMSUNG branch office near you.  
1
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与K9F6408U0A-TIB0相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K9F6408U0B SAMSUNG

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 		8M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F6408U0B-TCB0 SAMSUNG

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 		8M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F6408U0B-TCB00 SAMSUNG

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 		Flash, 8MX8, 35ns, PDSO40, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-40/44
K9F6408U0B-TIB0 SAMSUNG

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 		8M x 8 Bit NAND Flash Memory
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