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K9F6408U0B-TIB0

更新时间： 2024-01-16 00:26:08

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三星 - SAMSUNG		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
27页	414K
描述
8M x 8 Bit NAND Flash Memory

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K9F6408U0B-TIB0 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP40/44,.46,32
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.75	最长访问时间：	35 ns
命令用户界面：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PDSO-G40	JESD-609代码：	e0
长度：	18.41 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	1K
端子数量：	40	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP40/44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小：	512 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	8K	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
类型：	NAND TYPE	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

K9F6408U0B-TIB0 数据手册

K9F6408U0B-TCB0, K9F6408U0B-TIB0

FLASH MEMORY

Document Title

8M x 8 Bit NAND Flash Memory

Revision History

Revision No. History

Draft Date

Remark

0.0

0.1

Initial issue.

July 17th 2000

Preliminary

1. Changed endurance : 1 million -> 100K program/erase cycles

1. Changed don’t care mode in address cycles

Nov. 20th 2000

- *X can be "High" or "Low" => *L must be set to "Low"

2. Explain how pointer operation works in detail.

3. Renamed GND input (pin # 6) on behalf of SE (pin # 6)

- The SE input controls the access of the spare area. When SE is high,

the spare area is not accessible for reading or programming. SE is rec

ommended to be coupled to GND or Vcc and should not be toggled

during reading or programming.

=> Connect this input pin to GND or set to static low state unless the

sequential read mode excluding spare area is used.

4. Updated operation for tRST timing

- If reset command(FFh) is written at Ready state, the device goes into

Busy for maximum 5us.

0.2

1.Powerup sequence is added

: Recovery time of minimum 1ms is required before internal circuit gets

ready for any command sequences

Jul. 25th. 2001

~ 2.5V

High

2. AC parameter tCLR(CLE to RE Delay, min 50ns) is added.

3. AC parameter tAR1 value : 100ns --> 20ns

Note : For more detailed features and specifications including FAQ, please refer to Samsung’s Flash web site.

http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html

The attached datasheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions about device. If you have any questions, please contact the

SAMSUNG branch office near you.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K9F6408U0B-TIB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PDSO40, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-40/44
K9F6408U0C	SAMSUNG	获取价格	8M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F6408U0C-B	SAMSUNG	获取价格	8M x 8 Bit Bit NAND Flash Memory
K9F6408U0C-BCB0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PBGA48, 6 X 8.50 MM, TBGA-48
K9F6408U0C-BCB0T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PBGA48
K9F6408U0C-F	SAMSUNG	获取价格	8M x 8 Bit Bit NAND Flash Memory
K9F6408U0C-FCB0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PDSO48
K9F6408U0C-FCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, WSOP1-48
K9F6408U0C-FCB0T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PDSO48
K9F6408U0C-FIB0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX8, 35ns, PDSO48

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