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K9F1G16Q0M-PCB00

更新时间： 2024-11-25 09:52:11

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
40页	729K
描述
Flash, 64MX16, 60ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48

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K9F1G16Q0M-PCB00 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP1
包装说明：	12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.84
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	CONTAINS ADDITIONAL 32M BIT SPARE MEMORY
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	长度：	18.4 mm
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
编程电压：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	类型：	SLC NAND TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

K9F1G16Q0M-PCB00 数据手册

K9F1G08Q0M K9F1G16Q0M

K9F1G08D0M

K9F1G16D0M

K9F1G08U0M K9F1G16U0M

FLASH MEMORY

Document Title

128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory

Revision History

Revision No History

Draft Date

July. 5. 2001

Nov. 5. 2001

Remark

0.0

0.1

1. Initial issue

Advance

1. Iol(R/B) of 1.8V is changed.

- min. value : 7mA --> 3mA

- Typ. value : 8mA --> 4mA

2. AC parameter is changed.

tRP(min.) : 30ns --> 25ns

3. A recovery time of minimum 1ms is required before internal circuit gets

ready for any command sequences as shown in Figure 17.

Dec. 4. 2001

---> A recovery time of minimum 10ms is required before internal circuit gets

ready for any command sequences as shown in Figure 17.

0.2

0.3

1. ALE status fault in ’Random data out in a page’ timing diagram(page 19)

is fixed.

1. tAR1, tAR2 are merged to tAR.(Page11)

(Before revision) min. tAR1 = 10ns , min. tAR2 = 50ns

(After revision) min. tAR = 10ns

Apr. 25. 2002

2. min. tCLR is changed from 50ns to 10ns.(Page11)

3. min. tREA is changed from 35ns to 30ns.(Page11)

4. min. tWC is changed from 50ns to 45ns.(Page11)

5. tRHZ is devided into tRHZ and tOH.(Page11)

- tRHZ : RE High to Output Hi-Z

- tOH : RE High to Output Hold

6. tCHZ is devided into tCHZ and tOH.(Page11)

- tCHZ : CE High to Output Hi-Z

- tOH : CE High to Output Hold

1. Add the Rp vs tr ,tf & Rp vs ibusy graph for 1.8V device (Page 35)

2. Add the data protection Vcc guidence for 1.8V device - below about

1.1V. (Page 36)

Nov. 22.2002

0.4

1. The min. Vcc value 1.8V devices is changed.

K9F1GXXQ0M : Vcc 1.65V~1.95V --> 1.70V~1.95V

0.5

0.6

Mar. 6.2003

Mar. 13.2003

Pb-free Package is added.

K9F1G08U0M-FCB0,FIB0

K9F1G08Q0M-PCB0,PIB0

K9F1G08U0M-PCB0,PIB0

K9F1G16U0M-PCB0,PIB0

K9F1G16Q0M-PCB0,PIB0

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the

right to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions about device. If you

have any questions, please contact the SAMSUNG branch office near your office.

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