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K8P2915UQB-DC4D0

更新时间： 2024-11-11 15:45:27

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
54页	1410K
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Flash, 8MX16, 70ns, PBGA80, 11 X 8 MM, FBGA-80

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K8P2915UQB-DC4D0 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	BGA, BGA80,8X12,32
针数：	80	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	启动块：	BOTTOM/TOP
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PBGA-B80
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	部门数/规模：	16,254
端子数量：	80	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA80,8X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
页面大小：	8 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3/3.3 V
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	部门规模：	4K,32K
最大待机电流：	0.00003 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.055 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
Base Number Matches：	1

K8P2915UQB-DC4D0 数据手册

K8P2915UQB

FLASH MEMORY

128Mb B-die Page NOR Specification

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Revision 1.1

October, 2006

12 3 4 5 6 7...54

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K8P2915UQB-DE4CT	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX16, 65ns, PBGA80,
K8P2915UQB-DI4A0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX16, 55ns, PBGA80, 11 X 8 MM, FBGA-80
K8P2915UQB-DI4AT	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX16, 55ns, PBGA80,
K8P2915UQB-DI4CT	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX16, 65ns, PBGA80,
K8P2915UQB-DI4D0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX16, 70ns, PBGA80, 11 X 8 MM, FBGA-80
K8P2915UQB-DI4DT	SAMSUNG	获取价格	Flash, 8MX16, 70ns, PBGA80,
K8P3215UQB-DC4B0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 2MX16, 60ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-48
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K8P3215UQB-DC4CT	SAMSUNG	获取价格	Flash, 2MX16, 65ns, PBGA48

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