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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FBGA, BGA48,6X8,32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 最长访问时间： | 55 ns |
| 启动块： | BOTTOM/TOP | 命令用户界面： | YES |
| 通用闪存接口： | YES | 数据轮询： | YES |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 | 内存密度： | 33554432 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 部门数/规模： | 16,62 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 2097152 words |
| 字数代码： | 2000000 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 2MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | FBGA |
| 封装等效代码： | BGA48,6X8,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH | 页面大小： | 8 words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 部门规模： | 4K,32K | 最大待机电流： | 0.00003 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.055 mA |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 切换位： | YES | 类型： | NOR TYPE |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K8P3215UQB-DI4C0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 2MX16, 65ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-48 |
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| K8P3215UQB-DI4CT | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 2MX16, 65ns, PBGA48 |
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| K8P3215UQB-DI4DT | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 2MX16, 70ns, PBGA48 |
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| K8P3215UQB-EC4AT | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 2MX16, 55ns, PBGA64 |
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| K8P3215UQB-EE4A0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 2MX16, 55ns, PBGA64, 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64 |
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| K8P3215UQB-EE4B0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 2MX16, 60ns, PBGA64, 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64 |
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| K8P3215UQB-EE4CT | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 2MX16, 65ns, PBGA64 |
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| K8P3215UQB-EI4AT | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 2MX16, 55ns, PBGA64 |
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| K8P3215UQB-EI4CT | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 2MX16, 65ns, PBGA64 |
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| K8P3215UQB-PC4AT | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 2MX16, 55ns, PDSO48 |
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