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K8P2815UQC-QE4D0

更新时间： 2024-02-08 23:00:10

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		光电二极管内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
62页	1187K
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Flash, 8MX16, 70ns, PDSO56, 20 X 14 MM, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-56

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K8P2815UQC-QE4D0 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1, TSSOP56,.8,20
针数：	56	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.84	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	BOTTOM BOOT BLOCK, TOP BOOT BLOCK	启动块：	BOTTOM/TOP
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G56
长度：	18.4 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	16,254
端子数量：	56	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	8MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP56,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小：	8 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	4K,32K	最大待机电流：	0.00003 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.055 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

K8P2815UQC-QE4D0 数据手册

Rev. 1.0, May. 2010

K8P2815UQC

128Mb C-die NOR FLASH

60FBGA & 84FBGA, Page Mode

2.7V ~ 3.6V

datasheet

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