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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | TBGA, BGA64,8X8,40 |
| 针数： | 64 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.84 | 最长访问时间： | 70 ns |
| 备用内存宽度： | 8 | 命令用户界面： | YES |
| 通用闪存接口： | YES | 数据轮询： | YES |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B64 | 长度： | 13 mm |
| 内存密度： | 134217728 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 128 | 端子数量： | 64 |
| 字数： | 8388608 words | 字数代码： | 8000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8MX16 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TBGA |
| 封装等效代码： | BGA64,8X8,40 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE | 页面大小： | 8/16 words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 1.8/3.3,3/3.3 V | 编程电压： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 部门规模： | 128K |
| 最大待机电流： | 0.00004 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.055 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 切换位： | YES |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 11 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| K8P2716UZC-JC4DT | SAMSUNG | EEPROM Card, 8MX16, 70ns, Parallel, CMOS, PBGA64 |
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| K8P2716UZC-JC4E0 | SAMSUNG | Flash, 8MX16, 80ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, FBGA-64 |
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| K8P2716UZC-JC4ET | SAMSUNG | EEPROM Card, 8MX16, 80ns, Parallel, CMOS, PBGA64 |
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| K8P2716UZC-JE4C0 | SAMSUNG | Flash, 8MX16, 65ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, FBGA-64 |
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| K8P2716UZC-JE4CT | SAMSUNG | EEPROM Card, 8MX16, 65ns, Parallel, CMOS, PBGA64 |
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| K8P2716UZC-JE4D0 | SAMSUNG | Flash, 8MX16, 70ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, FBGA-64 |
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