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K8P2815UQB-DC4B0

更新时间： 2024-02-02 05:39:44

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
56页	1421K
描述
Flash, 8MX16, 60ns, PBGA64, 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, FBGA-80/64

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K8P2815UQB-DC4B0 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TBGA, BGA80,8X12,32
针数：	64	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.84	最长访问时间：	60 ns
启动块：	BOTTOM/TOP	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PBGA-B64	长度：	13 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	16,254	端子数量：	64
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TBGA
封装等效代码：	BGA80,8X12,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE	页面大小：	8 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3/3.3 V	编程电压：	2.7 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	4K,32K
最大待机电流：	0.00003 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.055 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	11 mm
Base Number Matches：	1

K8P2815UQB-DC4B0 数据手册

K8P2815UQB

FLASH MEMORY

128Mb B-die Page NOR Specification

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Revision 1.3

June 2007

12 3 4 5 6 7...56

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