K8D6316UBM-TI08

更新时间： 2024-02-13 16:20:18

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三星 - SAMSUNG		闪存
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48页	640K
描述
64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory

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K8D6316UBM-TI08 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FBGA, BGA48,6X8,32	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.92	最长访问时间：	80 ns
备用内存宽度：	8	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	部门数/规模：	8,127
端子数量：	48	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3/3.3 V	编程电压：	2.7 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
部门规模：	8K,64K	最大待机电流：	0.00003 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.05 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
Base Number Matches：	1

K8D6316UBM-TI08 数据手册

K8D6x16UTM / K8D6x16UBM

FLASH MEMORY

Document Title

64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory

Revision History

Revision No. History

Draft Date

Remark

0.0

1.0

1.1

Initial Draft

January 10, 2002

Preliminary

Final Specification

May 22, 2002

Final

Revised

June 18, 2003

- Release the stand-by current from typ. 5uA(max. 18uA) to typ.

10uA(max. 30uA).

1.2

Not support 48TSOP1 Package

Not support 16M/16M BANK partition

November 18, 2003

July 22, 2004

1.3

1.4

1.5

Support 48TSOP1 Package

Support 48TSOP1 Lead Free Package

Support 48FBGA Leaded/Lead Free Package

September 16,

2004

March 16, 2005

Revision 1.5

March 2005

12 3 4 5 6 7...48

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